生长方法

提拉法

晶体结构

立方

晶格常数

a=5.65754 Å

颜色及外观

灰白色

密度

5.323g/cm3

熔点

937.4℃

莫氏硬度

4mohs

掺杂物质

不掺杂

掺Sb

掺In或Ga

类型

/

N

P

电阻率

＞35Ω㎝

0.05Ω㎝

0.05～0.1Ω㎝

EPD

＜4×103/cm2

＜4×103/cm2

＜4×103/cm2

晶向

<100>、<110>、<111>

晶面定向精度

±0.5°

边缘定向精度

±1°

斜切晶片

可按照客户需求，定制特殊方向

尺寸（可按照客户需求，定制特殊尺寸）

10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等

dia1″×0.5mm、dia2″×0.5mm等

抛光

单面抛光、双面抛光等

表面粗糙度

＜5 Å

包装

1000级超级净室100级超净袋或单片晶盒封装