装置概述

本装置是CVD反应装置，拥有四个气路，两套独立的气路控制单元，加热炉安装在装置的侧面上下安装，精密的仪表控制加热炉炉温和气体流量，具有可靠性高，操作简便，结构紧凑的特点。该装置可用于化学沉积及与CVD特点相似的材料制备过程。

技术参数

-　气路：1-4（任选）；

-　加热炉：1-2（任选），加热炉温度Max：1000 ℃

-　气体质量流量器：0 - 500 mL/min（任选）；

-　工作压力：常压；

-　温度控制：± 0.5 ℃；

-　计算机控制（任选）。