产品用途：

此款CVD系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控

生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结真空淬火退火，快速降温等工艺实验。

产品组成：

CVD系统配置：

1.1200度开启式真空管式炉（可选配多温区）。

2.滑动系统分为手动、电动滑动，并配有风冷系统。

3.多路质量流量控制系统

4.真空系统（可选配中真空或高真空）    

产品特点：

1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权ZG设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵，防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

4 (电动)滑动系统采用温度控制器自动控制炉体移动，等程序完成，炉体按设定的速度滑动，因有滑动限位功能炉体不会发生碰撞，待样品露出炉体后，通过风冷系统快速降温。

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